電子時報報道，為了鞏固其在NAND閃存市場的領先地位，三星電子計劃再次采用雙堆疊技術來制造超過300層的3D NAND，旨在以生產成本優勢超越競爭對手。

韓國媒體《首爾經濟日報》近日援引業內人士消息稱，三星計劃于2024年量產超過300層的第9代3D NAND。預計將采用雙堆疊技術生產，其中包括在兩個獨立過程中創建NAND存儲器，然后將它們組裝在一起。2020年，三星從第7代176層3D NAND芯片開始首次采用雙堆疊技術。

近日，SK海力士宣布計劃于2025年開始量產321層3D NAND，這讓三星和許多業內專家都感到驚訝。SK海力士與三星戰略的不同之處在于，它將采用三重堆疊技術，涉及生產三組獨立的3D NAND層，每組分別堆疊為120層、110層和91層，然后組合成一個芯片。

在去年10月份舉辦的“三星技術日2022”上，三星公布了到2030年實現堆疊多達1000層的愿景。當時，業內專家猜測，在第9代3D NAND之后，三星可能會在第10代430層產品中采用三重堆疊技術。

韓國業內人士一致認為，如果不采用三重堆疊工藝，3D NAND要實現超過400層的堆疊將是一個挑戰。然而，三重堆疊技術和雙堆疊技術在成本和效率方面仍然存在顯著差異。顯然，使用雙堆疊工藝在原材料和生產成本方面具有優勢。

據報道，三星內部已準備好技術路線圖，表明其第10代3D NAND將采用三重堆疊工藝。另據報道，該公司正在與東京電子（TEL）等半導體設備合作伙伴密切合作，以增強成本競爭力。

業內人士指出，存儲業務嚴重下滑后，三星的危機感更加強烈，其最新的3D NAND部署策略可以被視為迎接2024年存儲市場復蘇的關鍵一步。