因存儲器市況低迷，三星電子將暫停韓國平澤園區第一工廠（P1）部分NAND Flash生產。該生產區主要負責生產128層堆疊的第6代V-NAND。據悉，該設備將停產至少一個月，但可能會延長至2023年下半年。

目前，三星已經減少了主要NAND Flash生產基地的晶圓投入，包括韓國平澤、華城以及中國西安。業界猜測三星的NAND Flash產量可能會減少10%左右。不過，鑒于市場持續低迷，三星在4月份發布的2023年Q1財報中正式宣布存儲器減產計劃。此外，三星在發布第Q2財報時表示，2023年下半年將重點削減NAND Flash領域的產量。

第6代128層V-NAND系列工藝相對成熟，成為減產目標。目前，三星的主要銷售來自第7代和第8代V-NAND產品，分別為176層和236層。

據悉，半導體公司通常采用在減產期間保持設備運行而不生產晶圓的方法。這主要是因為如果設備完全關閉，重新啟動期間重新建立工藝、達到產量需要額外的時間和金錢投資。不過，三星正在考慮停止設備運轉，不僅是為了增強減產效果，也是為了削減成本。

據報道，包括半導體在內的三星設備解決方案（DS）部門僅在2023年上半年就累計虧損8.94萬億韓元（約合67.2億美元）。因此，“降低成本”成為三星存儲業務目標管理（MBO）目標的重點之一。