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美光MT47H64M16NF-25E IT:M存儲(chǔ)芯片的中文參數(shù)、功能特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域

來(lái)源:美光| 發(fā)布日期:2025-11-25 15:58

以下是美光 ?MT47H64M16NF-25E IT? 存儲(chǔ)芯片的中文參數(shù)、功能特點(diǎn)及典型應(yīng)用領(lǐng)域的詳細(xì)說(shuō)明:

?一、核心參數(shù)?

?存儲(chǔ)容量?:1Gb(64M x 16位),等效于128MB。

?存儲(chǔ)器類型?:DDR2 SDRAM(第二代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),支持并行數(shù)據(jù)傳輸。

?接口類型?:16位數(shù)據(jù)總線寬度,支持高速數(shù)據(jù)交換。

?速度等級(jí)?:

最大時(shí)鐘頻率:400MHz(DDR2-800等效數(shù)據(jù)傳輸率,部分資料顯示支持800MHz,需以實(shí)際測(cè)試為準(zhǔn))。

訪問(wèn)時(shí)間:400ps(列地址選通延遲,CL值可能因頻率配置不同而變化)。

?封裝形式?:84球FBGA(8mm x 12.5mm),表面貼裝型,適合高密度PCB布局。

?工作溫度范圍?:

工業(yè)級(jí):-40°C 至 85°C,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。

?電源電壓?:

供電電壓范圍:1.7V ~ 1.9V,典型值1.8V,功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)。

電源電流最大值:95mA,低功耗特性顯著。

?關(guān)鍵特性?:

支持自動(dòng)刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,降低待機(jī)功耗。

集成溫度控制刷新(TCR)功能,根據(jù)溫度調(diào)整刷新周期,提升數(shù)據(jù)可靠性。

支持輸出驅(qū)動(dòng)校準(zhǔn)(ODT),優(yōu)化信號(hào)完整性。

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(如JESD-30C),兼容主流DDR2內(nèi)存控制器。

?二、功能特點(diǎn)?

?高速數(shù)據(jù)傳輸?:

DDR2技術(shù),雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR),最高支持800MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率(需實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證),滿足中高性能計(jì)算需求。

?低功耗設(shè)計(jì)?:

1.8V工作電壓較DDR的2.5V顯著降低,減少能耗,延長(zhǎng)電池供電設(shè)備續(xù)航時(shí)間。

?高可靠性?:

工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至85°C)適應(yīng)極端環(huán)境,如車載電子、工業(yè)自動(dòng)化等場(chǎng)景。

支持濕度敏感性設(shè)計(jì)(MSL 3級(jí)),防潮性能優(yōu)異,適合多氣候條件應(yīng)用。

?信號(hào)完整性優(yōu)化?:

ODT技術(shù)減少信號(hào)反射,提升高速傳輸穩(wěn)定性,降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

?兼容性與靈活性?:

支持多銀行(8 Bank)架構(gòu),提升并行訪問(wèn)效率,減少延遲。

封裝尺寸緊湊(8mm x 12.5mm),引腳密度高,適合空間受限的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

?三、典型應(yīng)用領(lǐng)域?

?工業(yè)自動(dòng)化控制?:

用于PLC(可編程邏輯控制器)、工業(yè)PC等設(shè)備,提供穩(wěn)定的中容量?jī)?nèi)存支持,確保實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理與控制指令執(zhí)行。

?車載電子?:

車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)(IVI)、儀表盤顯示等,適應(yīng)車規(guī)級(jí)溫度與振動(dòng)要求,支持多任務(wù)并行處理。

?通信設(shè)備?:

路由器、交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,作為高速緩存內(nèi)存,提升數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)效率。

?嵌入式系統(tǒng)?:

醫(yī)療設(shè)備(如超聲儀、監(jiān)護(hù)儀)、安防監(jiān)控(如NVR、DVR)等,需長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的場(chǎng)景。

?消費(fèi)電子?:

早期平板電腦、智能電視等,作為主內(nèi)存或緩存,平衡性能與成本。