ST意法半導(dǎo)體首款用于氮化鎵(GaN)晶體管的電流隔離柵極驅(qū)動器STGAP2GS在要求出色的寬帶隙效率、強大的安全性和電氣保護的應(yīng)用中，調(diào)整尺寸和物料成本。

單通道驅(qū)動器可以連接到最高1200V的高壓供電軌，對于STGAP2GSN窄體版本，可以連接到1700V的高壓供電軌，并提供最高15V的柵極驅(qū)動電壓。該驅(qū)動器能夠向連接的GaN晶體管提供高達3A的吸電流和源電流，確保在高工作頻率下嚴格控制開關(guān)轉(zhuǎn)換。

隔離柵上的傳播延遲極小，僅為45ns，因此STGAP2GS可確保快速動態(tài)響應(yīng)。此外，整個溫度范圍內(nèi)100V/ns的dV/dt瞬態(tài)抗擾度可防止不必要的晶體管柵極變化。STGAP2GS提供獨立的吸電流和源電流引腳，可輕松調(diào)整柵極驅(qū)動操作和性能。

STGAP2GS驅(qū)動器無需分立器件來提供光隔離，因此可以在各種消費電子和工業(yè)應(yīng)用中輕松采用高效、穩(wěn)定的GaN技術(shù)。其中包括計算機服務(wù)器、工廠自動化設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)、家用電器、家用風(fēng)扇和無線充電器中的電源。

除了集成電流隔離，該驅(qū)動器還具有內(nèi)置系統(tǒng)保護功能，包括針對GaN技術(shù)優(yōu)化的熱關(guān)斷和欠壓閉鎖(UVLO)，以確保可靠性和耐用性。

兩個演示板EVSTGAP2GS和EVSTGAP2GSN，將標(biāo)準STGAP2GS和窄STGAP2GSN與ST的Sgt 120 r 65 al 75mω、650V增強型GaN晶體管相結(jié)合，幫助用戶評估驅(qū)動器的性能。

這STGAP2GS采用SO-8寬體封裝，而STGAP2GSNSO-8窄版現(xiàn)已上市