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三星將在2027年1.4nm工藝用上BSPDN背面供電技術
據業內人士透露，三星電子近期具體化了背面供電技術的商用時間表。三星電子代工部門首席技術官（CTO）Gitae Jeong在最近的一次論壇上表示，“我們計劃在2027年將BSPDN應用到1.4nm工藝中。”
背部供電（BSPDN）技術是一項應用于先進半導體的創新技術，旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力，但至今仍未在全球范圍內實施。這也是三星電子首次披露其 BSPDN 開發進程。
雖然目前半導體行業已不再使用柵極長度和金屬半節距來為技術節點進行系統命名，但毫無疑問目前的工藝技術也是數字越小越先進。
隨著半導體工藝微縮路線不斷地向前發展，集成電路內電路與電路間的距離也不斷縮窄，從而對彼此產生干擾，而 BSPDN 技術則可以克服這一限制，這是因為我們可以利用晶圓背面來構建供電路線，以分隔電路和電源空間。
三星電子公開其背面供電計劃后，代工行業競爭將更加激烈，各家企業爭奪技術領先地位。目前，三家公司占據主導地位。英特爾被認為是背面供電技術最先進的公司，計劃2024年通過應用該技術來量產半導體，用于Intel 20A（2nm級）工藝。英特爾還創建了自己的技術品牌“Powervia”，以強調背面供電技術的優越性。臺積電也計劃在2nm以下工藝中應用該技術，目標預計在2026年之前實現。
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