7月21日訊，隨著各路資本持續(xù)加注人工智能，卡住“存力”環(huán)節(jié)的存儲(chǔ)芯片公司再次站到了聚光燈下。不過(guò)，在這場(chǎng)盛宴之中，并不是所有人都有資格受到邀請(qǐng)，手握門票、率先入場(chǎng)的SK海力士更是尤其明白這個(gè)道理。

這張門票正是當(dāng)下供不應(yīng)求的HBM。

由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求都在增長(zhǎng)。HBM的價(jià)格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍；DDR5的價(jià)格也比DDR4高出15%到20%。

另?yè)?jù)BusinessKorea援引業(yè)內(nèi)人士消息透露，在最近一次非公開企業(yè)說(shuō)明會(huì)上，SK海力士預(yù)計(jì)，2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。

雖然目前HBM在SK海力士的營(yíng)收占比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%。而SK海力士今年上半年預(yù)計(jì)虧損超過(guò)6萬(wàn)億韓元，如今或許意在憑借高附加值內(nèi)存實(shí)現(xiàn)反彈。

公司副總裁Park Myoung-soo對(duì)整個(gè)市場(chǎng)前景頗為樂(lè)觀。他預(yù)計(jì)，AI服務(wù)器內(nèi)存（包括HBM、DDR4和DDR5）在整個(gè)服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)的份額將從今年的17%增加到5年后的38%，未來(lái)5年人工智能服務(wù)器效應(yīng)帶來(lái)的新增DRAM需求將累計(jì)達(dá)到400億GB。SK海力士目標(biāo)2026年生產(chǎn)HBM4。

另外，SK海力士還透露了未來(lái)產(chǎn)品的具體路線圖。

公司已明確明年上半年生產(chǎn)HBM3E，并將HBM4的生產(chǎn)目標(biāo)時(shí)間定在了2026年。SK海力士計(jì)劃在HBM4中采用先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合（hybrid bonding）”，與現(xiàn)有的“非導(dǎo)電膜（non - conductive film）”相比，混合鍵合提高了散熱效率、減少了布線長(zhǎng)度、提高了輸入/輸出密度，還能將HBM層數(shù)限制由12層提升至16層。

在此之前，SK海力士已著手?jǐn)U建HBM產(chǎn)線，目標(biāo)將HBM產(chǎn)能翻倍。擴(kuò)產(chǎn)焦點(diǎn)在于HBM3，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備，將擴(kuò)建封裝HBM3的利川工廠。預(yù)計(jì)到今年年末，后段工藝設(shè)備規(guī)模將增加近一倍。

而半導(dǎo)體行業(yè)中，圍繞高附加值DRAM的競(jìng)爭(zhēng)將日趨激烈。

另一存儲(chǔ)芯片巨頭三星也計(jì)劃投資1萬(wàn)億韓元（約合7.6億美元）擴(kuò)產(chǎn)HBM，目標(biāo)明年底之前將HBM產(chǎn)能提高一倍，公司已下達(dá)主要設(shè)備訂單。韓媒還指出，從第四季度開始，三星將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3，目前后者的HBM由SK海力士獨(dú)供。