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Bourns推出汽車級半屏蔽功率電感器系列，具有高達150°C的高工作溫度
美國柏恩 Bourns, Inc.，今日宣布了一款新的符合AEC-Q200標準的汽車級半屏蔽功率電感系列，其工作溫度范圍從-40°C到150°C。Bourns?型號SRN8040HA系列采用公司先進的磁性硅基涂層技術構建，提供卓越的磁屏蔽，同時還能實現更高的工作溫度。
符合AEC-Q200標準的電感系列采用磁性硅基涂層技術構建，具有卓越的磁屏蔽性能，并支持更高的工作溫度
Bourns?型號SRN8040HA半屏蔽功率電感器
2023年6月22日，美國柏恩 Bourns, Inc.全球知名電子組件領導制造供貨商，今日宣布了一款新的符合AEC-Q200標準的汽車級半屏蔽功率電感系列，其工作溫度范圍從-40°C到150°C。Bourns?型號SRN8040HA系列采用公司先進的磁性硅基涂層技術構建，提供卓越的磁屏蔽，同時還能實現更高的工作溫度。
與非屏蔽電感器相比，Bourns的新型高溫電感器被設計為釋放更低的磁場輻射，并且也是完全屏蔽鐵氧體電感器的更具成本效益的替代品。型號SRN8040HA系列支持高電流容量，飽和電流Isat范圍為1.3 - 15 A，加熱電流Irms范圍為1.0 - 10.0 A。這些電感的特性和功能使它們特別適合汽車，消費，工業和電信電子應用中的DC-DC轉換器和電源，這些應用通常要求更高的電感可靠性。
Bourns?型號SRN8040HA半屏蔽功率電感系列現已上市，全系列均符合RoHS標準*和無鹵**。
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日立功率半導體被收購！
11月2日，株式會社日立制作所（以下簡稱日立）宣布與美蓓亞三美株式會社（以下簡稱美蓓亞三美）簽訂合同，日立決定將其全資子公司株式會社日立功率半導體（以下簡稱日立功率半導體）的全部股份轉讓給美蓓亞三美。日立功率半導體股權轉讓據悉，日立此次股權轉讓涉及股份數量為45萬股。目前，股份轉讓的時間尚未確定，但日立方面的目標是盡快執行。本次簽約之前，為實現日立功率半導體的進一步發展和提升企業價值，日立和日立功率半導體進行了反復磋商。雙方認為，為了確保日立功率半導體在今后有望高速增長的功率半導體市場上實現持續發展，最佳方案便是在美蓓亞三美的經營管理之下，擴大生產能力和提高制造效率。本次股份轉讓完成后，日立會將獲得的資金用于能源領域中的綠色能源業務和服務業務的發展投資，進一步提升企業價值。資料顯示，美蓓亞三美成立于1951年7月，現任會長兼CEO為貝沼由久，業務內容包括軸承等機械加工品業務、電子元器件、半導體、小型電機電子設備業務、汽車零部件、工業機械、住宅設備業務。其中，模擬半導體業務被定位為核心業務之一。日立功率半導體成立于2013年10月，其目的是整合日立與日立原町電子工業株式會社的相同業務，構建功率半導體業務從設計、制造到銷售的一條龍體制。在功率半導體領域，日立將“IGBT·SiC”、“高耐壓IC”、“二極管”這三種產品作為核心產品陣容，利用高耐壓和低損耗技術，提供高附加值的產品。日立在碳化硅領域的布局近年來，日立正在通過其子公司日立功率半導體和日立能源持續深耕碳化硅領域。據日經中文網2021年10月報道，日立功率半導體將在2024年度之前，將用于電壓控制的功率半導體的供應量增加約7成。而在去年9月，日本《日刊工業新聞》報道稱，日立功率半導體計劃投資超1000億日元，進一步將用于電動汽車和電器等產品的功率半導體產能提高至3倍。日立能源方面，其主要專注于碳化硅模塊領域。去年5月，日立能源在德國紐倫堡的PCIM Europe推出RoadPak功率半導體模塊，適用于各類型電動汽車。日立表示，該模塊采用先進的SiC技術，可實現更快的充電速度、更高的車輛使用壽命可靠性，以及盡可能低的功率損耗以實現更長的行駛里程。日立能源在其位于瑞士的半導體工廠生產自己的 SiC 芯片，同時得到美國獨立 SiC 芯片制造商的支持。這兩個獨立的制造來源，保證了日立能源基于 SiC 的功率半導體產品（包括 RoadPak）的全球供應安全。今年5月8日，日立能源在其官網宣布，位于瑞士倫茨堡的日立能源半導體新SiC e-Mobility生產線已落成。據日立能源介紹，SiC e-Mobility生產線是全自動化功率半導體生產線，還開發了SiC測試功能，可提供可靠、可重復的結果。據悉，該產線將量產日立能源于2022年發布的RoadPak模塊。（文：化合物半導體市場Zac整理）
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一文搞懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC、UFS、eMCP、uMCP存儲器的區別
存儲領域發展至今，已有很多不同種類的存儲器產品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用：一、NANDNAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種，屬于非易失性存儲器，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如閃存盤、固態硬盤、eMMC、UFS等。根據其不同的工藝技術，NAND已經從最早的SLC一路發展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。按速度價格對比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC按容量大小對比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC目前主流的應用解決方案為TLC和QLC。SLC和MLC主要針對軍工，企業級等應用，有著高速寫入，低出錯率，長耐久度特性。除此，NAND Flash根據對應不同的空間結構來看，可分為2D結構和3D結構兩大類：下面是各大NAND Flash芯片生產廠商在3D NAND Flash產品的量產狀況：二、DDR、LPDDRDDR全稱Double Data Rate（雙倍速率同步動態隨機存儲器），嚴格的來講，DDR應該叫DDR SDRAM，它是一種易失性存儲器。雖然JEDEC于2018年宣布正式發布DDR5標準，但實際上最終的規范到2020年才完成，其目標是將內存帶寬在DDR4基礎上翻倍，速率3200MT/s起，最高可達6400MT/s，電壓則從1.2V降至1.1V，功耗減少30%。LPDDR是在DDR的基礎上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內存”，是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱。目前最新的標準LPDDR5被稱為5G時代的標配，但目前市場上的主流依然是LPDDR3/4X。DDR和LPDDR的區別？應用領域不同。DDR因其更高的數據速率、更低的能耗和更高的密度廣泛應用于平板電腦、機頂盒、汽車電子、數字電視等各種智能產品中，尤其是在疫情期間，由于在家辦公、網課和娛樂的增加，平板電腦、智能盒子的需求也逐步攀升，這對DDR3、DDR4的存儲性能要求更高、更穩定。而LPDDR擁有比同代DDR內存更低的功耗和更小的體積，該類型芯片主要應用于移動式電子產品等低功耗設備上。LPDDR和DDR之間的關系非常密切，簡單來說，LPDDR就是在DDR的基礎上面演化而來的，LPDDR2是在DDR2的基礎上演化而來的，LPDDR3則是在DDR3的基礎上面演化而來的，以此類推。但是從第四代開始，兩者之間有了差別或者說走上了不同的發展，主要因為DDR內存是通過提高核心頻率從而提升性能，而LPDDR則是通過提高Prefetch預讀取位數而提高使用體驗。同時在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陸消費者市場。三、eMMC、UFSeMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統一的MMC標準接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對Flash的特性，產品內部已經包含了Flash管理技術，包括錯誤探測和糾正，flash平均擦寫，壞塊管理，掉電保護等技術。用戶無需擔心產品內部flash晶圓制程和工藝的變化。同時eMMC單顆芯片為主板內部節省更多的空間。簡單地說，eMMC=Nand Flash+控制器+標準封裝eMMC具有以下優勢：1.簡化類手機產品存儲器的設計。2.更新速度快。3.加速產品研發效率。UFS：全稱Universal Flash Storage，我們可以將它視為eMMC的進階版，同樣是由多個閃存芯片、主控組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執行）的缺陷，可以實現全雙工運行，所以性能得到翻番。四、eMCP、uMCPeMCP是結合eMMC和LPDDR封裝而成的智慧型手機記憶體標準，與傳統的MCP相較之下，eMCP因為有內建的NAND Flash控制芯片，可以減少主芯片運算的負擔，并且管理更大容量的快閃記憶體。以外形設計來看，不論是eMCP或是eMMC內嵌式記憶體設計概念，都是為了讓智慧型手機的外形厚度更薄，更省空間。uMCP是結合了UFS和LPDDR封裝而成的智慧型手機記憶體標準，與eMCP相比,國產的uMCP在性能上更為突出，提供了更高的性能和功率節省。eMMC是將NAND Flash芯片和控制芯片都封裝在一起，eMCP則是eMMC和LPDDR封裝在一起。對于手機廠商而言，在存儲產業陷入缺貨潮的關鍵時期，既要保證手機出貨所需的Mobile DRAM，又要保證eMMC貨源，庫存把控的難度相當大，所以eMCP自然成為大部分中低端手機首選方案。uMCP是順應UFS發展的趨勢，滿足5G手機的需求。高端智能型手機基于對性能的高要求，CPU處理器需要與DRAM高頻通訊，所以高端旗艦手機客戶更青睞采用CPU和LPDDR進行POP封裝，這樣線路設計簡單，可以減輕工程師設計PCB的難度，減少CPU與DRAM通訊信號的干擾，提高終端產品性能，隨之生產難度增大，生產成本也會增加。5G手機的發展將從高端機向低端機不斷滲透，從而實現全面普及，同樣是對大容量高性能提出更高的要求，uMCP是順應eMMC向UFS發展的趨勢。uMCP結合LPDDR和UFS，不僅具有高性能和大容量，同時比PoP +分立式eMMC或UFS的解決方案占用的空間減少了40%，減少存儲芯片占用并實現了更靈活的系統設計，并實現智能手機設計的高密度、低功耗存儲解決方案。綜上所述簡單總結一下：eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+標準封裝UFS=eMMC的進階版eMMC：半雙工模式 UFS：全雙工模式eMCP=eMMC+LPDDR+標準封裝uMCP=UFS+LPDDR+標準封裝
哦! 它是空的。