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功率器件中功率半導(dǎo)體IGBT工藝流程是怎么樣的呢？
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)的制造工藝-般包括以下主要步驟 :
1.襯底準(zhǔn)備:選擇適當(dāng)?shù)囊r底材料,通常使用硅(Silicon) 作為IGBT的基底。 襯底表面經(jīng)過(guò)清潔和平整處理。
2.襯底摻雜:通過(guò)離子注入或擴(kuò)散技術(shù)向襯底中摻入特定類(lèi)型(N型或P型) 的雜質(zhì)，形成N型或P型區(qū)域，用于構(gòu)建PN結(jié)。
3.絕緣層沉積:在襯底表面沉積一層絕緣材料，通常使用二氧化硅(SiO2) ，以形成絕緣層。
4.通道制作:在絕緣層上刻蝕出通道區(qū)域，這是控制IGBT導(dǎo)電性的關(guān)鍵區(qū)域。
5.門(mén)極沉積:在通道區(qū)域上沉積金屬材料,通常是鋁(AI) 或鎢(W)合金,形成門(mén)極。
6.金屬層制作:通過(guò)光刻和蝕刻等步驟，在器件表面形成電極和金屬互連層， 以便進(jìn)行電連接和引出。
7.裝配封裝:將制造好的IGBT芯片封裝到外部封裝中，以保護(hù)芯片并提供外部引腳供連接。
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蘋(píng)果與博通簽署5G射頻組件（含F(xiàn)BAR濾波器）訂單，價(jià)值數(shù)十億美元
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美國(guó)微芯MIC29302WU電源芯片的詳細(xì)介紹
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