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芯科半導體完成A+輪融資，專注芯片半導體功率器件制造
近日，芯科半導體完成A+輪融資，投資方包括了中贏創投。本輪融資主要用于產線建設與基建建設。
芯科半導體是中國碳化硅（SiC）第三代半導體摻雜技術研究及器件研發、設計、制成、應用、銷售為一體的機構。致力于大功率半導體芯片結構設計和外延生長、MOSFET、IGBT芯片設計與應用、第三代半導體功率器件封裝與散熱，公司向全球功率器件消費者提供優質的半導體功率器件產品和服務。
公司的技術優勢有以下三點，一是提出了第三代半導體摻雜機理，實現相關模擬計算；二是控制溫場和流場分布、降低缺陷并增加外延厚度，獲得均勻的SiC同質異性外延厚度高于200μm；獲得器件的擊穿電壓高于20kV，載流子遷移率高于15cm2/V·s，正向電流密度高于100A/cm2 ；三是采用高速-低速，高溫-低溫，單源-多源的有機結合，實現半導體精準可控摻雜SiC功率器件得到了國家青年“973“項目的支持 。
據悉，公司的基礎核心產品以SIC肖特基二極管、MOSFET管為代表，其中600V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的碳化硅肖特基二極管、MOSFET管產品已經投入批量生產。
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ON安森美MC12080DR2G時鐘發生器的中文參數、應用領域和功能特點
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