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德州儀器CSD88537ND場效應管(MOSFET)的工作原理、參數、應用以及引腳封裝
德州儀器CSD88537ND這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET? 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機控制應用中的半橋。
CSD88537ND參數
類型：2個N溝道
漏源電壓(Vdss)：60V
連續漏極電流(Id)：15A
功率(Pd)：2.1W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,8A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)：3.6V@250uA
柵極電荷(Qg@Vgs)：18nC@10V
輸入電容(Ciss@Vds)：1.4nF@30V
工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj)
CSD88537ND應用
用于電機控制的半橋
同步降壓轉換器
CSD88537ND引腳封裝圖
CSD88537ND最大絕對額定值
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突破：光子芯片溫控耗能減至目前的百萬分之一
科技日報訊 美國俄勒岡州立大學和貝勒大學科學家在降低數據中心和超級計算機使用的光子芯片能耗方面取得了突破：他們開發出一種新型設備，控制光子芯片溫度變化所需的能量僅為目前能耗的百萬分之一，有望成為未來數據中心和超級計算機高速通信的骨干。相關論文刊登于最新一期《科學報告》雜志。數據中心能存儲、處理和傳播數據和應用程序。美國能源部的數據顯示，同等面積數據中心的能耗是普通辦公樓的50倍，數據中心總用電量約占美國用電總量的2%。而且，隨著數據量的飆升，數據中心的數量也與日俱增。光子芯片內的電路使用光子而非像傳統計算機芯片那樣使用電子。光子以光速移動，能實現極快速、高效的數據傳輸，但需要大量能量來保持其溫度穩定和高性能。目前光子學行業完全依賴“熱加熱器”來微調高速電光設備的工作波長并優化其性能，每臺此類熱加熱器消耗幾毫瓦的電力。研究團隊指出，一個典型的LED燈泡的功率為6到10瓦，幾毫瓦聽起來可能不算多，但數百萬臺設備加起來，電量非常驚人。而且，隨著系統的規模不斷擴大，耗電量也會越來越多。鑒于此，俄勒岡州立大學工程學院約翰·康利團隊研制出了一款新型設備，可通過門極電壓控制光子芯片的溫度變化，這意味著幾乎可不使用電流，將控制光子芯片溫度變化所需的能量降低為原來的百萬分之一。康利強調稱，這種芯片“將構成未來數據中心和超級計算機的高速通信骨干”。這一方法將使數據中心在使用更少能源的同時變得更快、更強大，人們也能以更低能耗訪問由機器學習驅動的更強大的應用程序，如ChatGPT等。
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長江存儲Xtacking技術：國產存儲打敗了美光、三星
5月21日美光公司在華銷售的產品未通過網絡安全審查。審查發現，美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。在美光被限制在大陸銷售之后，長江存儲在全球存儲芯片不斷降價的前提下，漲價了。是因為國外廠商在大陸銷售受限，存儲市場出現賣方市場，還是長江存儲核心技術Xtacking又有新突破?中國出手：停止采購美光5月21日晚消息，美光公司在華銷售的產品未通過網絡安全審查。審查發現，美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。按照《網絡安全法》等法律法規，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。此次對美光公司產品進行網絡安全審查，目的是防范產品網絡安全問題危害國家關鍵信息基礎設施安全，是維護國家安全的必要措施。中國堅定推進高水平對外開放，只要遵守中國法律法規要求，歡迎各國企業、各類平臺產品服務進入中國市場。3月31日，網絡安全審查辦公室曾發布公告稱，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網絡安全法》，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司(Micron)在華銷售的產品實施網絡安全審查。公開資料顯示，美光科技公司是一家全球領先的高級半導體解決方案供應商，是美國最大的電腦存儲芯片生產商，也是全球僅余的三大存儲芯片生產巨頭之一。主要業務是生產多種形式的半導體器件，包括動態隨機存取存儲器、閃存和固態驅動器;主要產品包括DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊。截至美股5月19日收盤，美光科技(MU)股價68.17美元，漲0.89%，總市值746億美元(約5227.9億元人民幣)。長江存儲宣布漲價在3月31日，美光被網信辦調查之后，白宮竟然不允許三星和海力士等國外廠商來填補中國市場空缺，客觀情況下，這給長江存儲創造良好的外部環境。在美光被限制在大陸銷售之后，長江存儲在全球存儲芯片不斷降價的前提下，漲價了!5月16日消息，據供應鏈人士透露，長江存儲原廠閃存正式開始漲價，幅度大約3-5%，比如256G已經漲價4-5美元(約合人民幣28-35元)。據悉，漲價最先影響的是企業級市場，消費級的現貨市場可能還需要一段時間才會看到明顯上漲。目前，長江存儲致態TiPro7000 1/2TB分別只要579/1019元，TiPlus7100 1/2TB更是僅為509/959元。2021年到2022年，以三星為代表的存儲公司出現庫存激增，單價下滑的情況。原因之一是半導體行業處于下行趨勢;其二是SSD市場飛速發展，成本已經大幅降低，再加上這一年來市場需求嚴重下滑，全球各大 NAND 廠商庫存持續處于高位，因此為爭奪出貨量不得不開啟降價模式，目前 SSD 可以說是來到了“白菜價”水平。不單單是大牌，目前很多小眾品牌的固態硬盤已經殺到了接近機械硬盤的價位，例如部分采用長江存儲泰山顆粒+ 聯蕓 1602 主控的固態硬盤目前已經來到了每 TB 200 元出頭的程度。而隨著三星、美光、SK 海力士等品牌 NAND 顆粒已經開始逐步小幅拉升，大部分產品已經很長時間沒有再繼續降價。從中國閃存市場數據來看，NAND 指數已經有近兩個月的時間穩定在一個區間，降價趨勢已經大幅低于去年年底。在這種情況下，國產龍頭企業長江存儲自然也不愿意看到市場在繼續下跌。最新消息表明，長江存儲的顆粒報價已經從上周開始抬升。長江存儲漲價的原因：一是市場回暖;其二是，Xtacking 技術越來越成熟，引領行業。長江存儲Xtacking 3.0 最具顛覆性的技術之一長江存儲的核心技術叫做Xtacking，根據公開信息Xtacking代替已經進化到了3.0版本，長江存儲最新發布的Tiplus71000產品，使用的是x3-9070.也就是傳說中的232層3DNAND顆粒，雖然長江存儲公布Xtacking3.0的時間點晚于美國，但相關產品卻先于美國上市，那么可以得出這樣一個結論，長江存儲是世界上第一個量產232層3DNAN公司。作為中國領先的NAND存儲器集成器件制造商(IDM)，長江存儲發展迅速。在2018年的閃存峰會(FMS)上首次推出了Xtacking 1.0架構，隨后于2019年推出了Xstacking 2.0.正如許多科技公司一樣，2022年對長江存儲來說是坐了一年過山車。首先是蘋果計劃將長江存儲的128L芯片納入其產品的消息，然后是美國政府對長江存儲實施限制后的迅速轉變。與此同時，長江存儲稱Xtacking 3.0現已上市，這引發了人們對該公司是否仍能在沒有蘋果繼續支持的情況下大規模生產該設備的質疑。TechInsights將Xtacking 3.0視為2022年最具顛覆性的技術之一。首先，創新架構在新興的存儲器半導體行業中并沒有真正競爭者;其次，最近對YMTC實施的限制使這項技術成為地緣政治的焦點。最先進的長江存儲的固態顆粒性能非常優異，不管是速度穩定性還是持久力都屬于頂尖水平，尤其是持久力深受廣大“挖礦”人士的喜愛。但是如此優異性能背后技術并不是大家想象中難那么的先進，Xtacking其實是一種落后的技術，Xtacking的本質其實是一種非常典型的晶元電荷式系統及封裝技術，長江存儲把3DNAN的存儲單元和CMOS邏輯電路分別在兩塊晶元上加工和制造，最終通過晶元鍵和技術加兩塊晶圓粘在一起。事實上三星、美光、海力士一定在實驗室嘗試過Xtacking技術，因為Xtacking需要兩塊晶圓疊加介質對準等因素的影響，導致產品高企。眾所周知商業環境里評判一個技術的好壞，最關鍵的條件不是這個技術是否先進，而是這項技術是否能在低成本低損耗的情況下保證產品性能并進行大規模量產，很顯然在三星、海力士、美光的驗證下Xtacking并不是這樣的技術。但是為什么長江存儲要走這條路?因為其他路被三星、海力士、美光、東芝、英特爾堵死了。這5家公司在存儲行業耕耘了30年之久，經驗累積十分豐富技術先進。東芝還是第一塊DNAN的發明者長存，如果復制國際先進存儲廠商成功產品的路子，技術壁壘無法打破不說，還有極大可能面對專利起訴得不償失。所以長江存儲選擇直接上Xtacking這種看似無法大規模量產的技術。令人矚目的是，長江存儲把一個看似無法大規模量產的技術硬做到量產，而且Xtacking迭代速度極快，快到讓所有人咋舌。2022年11月長存宣布232層Xtacking3.0技術研發成功，并立刻推出全新產品，Tiplus71000.4年更新三代技術，并且在第三代技術發布的時候，完成了對國外最先進公司的反超速度著實有點太離譜了，就連三星電子CEO金奇楠也公開表示，三星本來在2025年左右采用類似Xtacking3.0的技術，沒想到長江存儲竟然率先量產了。被美國技術制裁一般來講，當我國的科技公司對外國公司實現技術趕超的時候，一定會面臨一個問題，華為是這樣大疆是這樣，現在輪到長江存儲了，那就是美國制裁。2022年10月7日，美國半導體設備供應商接到美國商務部通知，禁止在對大陸晶元廠提供服務。2022年12月15日，美國商務部將包括長江存儲在內的30多家中國實體加入實體清單。僅從目前的信息來看，長江存儲貌似沒太受到美國制裁的影響，存儲顆粒一個勁往外供貨，致態也是持續刷新底價，一派欣欣向榮景象，但是最近看到了一些長存固態吊盤的情況出現，或和制裁有關。Xtacking美國制裁長江存儲，那長存的技術卡點在哪里?Xtacking本身是不存在任何被制裁或者被打專利戰的可能的，因為這項技術是百分之百自主研發，但是把Xtacking做成產品的過程中，卻存在一些躲不開的難題。第一個難點是晶元鍵合技術的專利問題，晶元鍵合是Xtacking的核心技術之一，或者說正是因為長江存儲解決了晶元鍵合的難題，才使得Xtacking變成了先進技術。從專利數量上來看，長江存儲自成立以來就一直在申請晶元鍵合方面的專利，到目前為止總共申請了大概850個晶元鍵合技術方面的專利，不過長存的晶元鍵合技術也不完全是自研。2021年10月長江存儲與美國專利公司Xperi達成專利授權協議，長江存儲通過該協議獲得了Xperi的DBI混合鍵合技術相關的知識產權。從專利情況來看，長江存儲在混合晶元件和方面的技術積累不算太多，絕大部分帶有混合晶元件和字眼的專利都屬于該項技術的終端應用，比如類似于三維存儲器的制造方法，半導體結構這樣的技術應用型發明專利。所以Xperi的專利授權協議一直是一塊心病，畢竟白宮的制裁優先級最高Xperi授權的連續性也許會出現問題。第二個難點那就是老生常談的芯片制造問題了，也就是設備和材料。長江存儲在制造設備方面的卡點并不是光刻機，而是刻蝕機。Xtacking技術是把存儲單元和外圍CMOS電路放在兩塊晶圓上加工，存儲單元不需要特別高的制程做支撐，CMOS電路可能需要二十幾納米的制程，生產二十幾納米芯片的光刻機是可以買到的。但生產存儲單元有個難題叫做高深寬比刻蝕，簡單來講就是三維存儲器層數越高，需要的刻蝕深寬比就越大，Xtacking快速迭代的能力一方面來自其技術本身的特點，另一方面其實是需要先進刻蝕機來做配合。現階段泛林最先進的刻蝕機臺能做到80~100:1的深寬比。不過目前來看，泛林已經對長江存儲斷供了，所以只剩下中微半導體這一個選擇國產替代任重道遠長江存儲一條3DNAND產線上需要大概40種刻蝕機臺，從之前的招標情況來看，中微公司大概只能提供10種機臺，在ICP刻蝕機臺方面完全是零中標，并且缺少了先進機臺的支持。當下缺少先進刻蝕機臺，長存技術迭代的速度可能也會慢下來，過去兩年一代的更新頻率大概率不會再出現。如今外國先進存儲廠商在大陸銷售受限，長江存儲能吃下這塊市場還是要依靠本土先進的設備生產廠商的努力。北方華創、中微半導體、盛美、拓荊科技、精測電子、上海微電子、中科飛測、華峰測控、長川科技一定要把握住千載難逢的機會。長江存儲目前是中國除了華為之外最重要的芯片公司之一，互聯網時代增長最快的不是流量而是數據，尤其在ChatGPT問世以后，算力芯片存儲芯片的需求都是成倍地增長，如果沒有長江存儲的崛起，我國仍舊需要花費大量的外匯來購買三星、海力士、美光、東芝等外國公司的產品，價格昂貴暫且不提，外國廠商有沒有在其中加入后門，我們也猶未可知。
哦! 它是空的。