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安森美 NTHL015N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用

來源:安森美onsemi| 發(fā)布日期:2023-11-17 10:41

安森美onsemi  NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET,采用TO-247-3L封裝。該碳化硅MOSFET的設(shè)計快速而堅固耐用。該器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。這些MOSFET還具有3倍能量帶間隙和3倍導(dǎo)熱性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能的選項,專門設(shè)計用于汽車應(yīng)用并符合其相關(guān)要求。

NTHL015N065SC1 特性

典型值 RDS(on) = 12m(VGS = 18V時)

典型值 RDS(on) = 15m(VGS = 15V時)

超低柵極電荷 (QG(tot) = 283nC)

高速開關(guān),低電容 (Coss = 430pF)

100%經(jīng)雪崩測試

該器件不含鹵素,符合RoHS指令(7a豁免),無鉛2LI(二級互連)

NTHL015N065SC1 應(yīng)用

開關(guān)模式電源 (SMPS)

太陽能逆變器

不間斷電源 (UPS)

儲能