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2023年ST意法半導體熱銷型號TOP10
ST意法半導體作為全球知名的半導體公司，其產品廣泛應用于各個領域。2023年以下型號成為了ST的熱銷型號：
LM358DT：雙運算放大器，低功耗，適用于音頻放大、儀表和控制系統。
STM32F407VET6：高性能32位ARM Cortex-M4微控制器，具有浮點運算單元和豐富的外設接口，適用于電機控制、工業自動化和物聯網應用。
M24C02-WMN6TP：24LC02B/P串行EEPROM存儲器，低功耗，適用于各種存儲和數據記錄應用。
LM324DT：四運算放大器，低功耗，適用于音頻放大、儀表和控制系統。
STM32F103C8T6：低功耗32位ARM Cortex-M3微控制器，具有豐富的外設接口，適用于電機控制、醫療設備和工業自動化應用。
L78M05CDT-TR：三端線性穩壓器，適用于各種電源應用。
LM2904DT：雙比較器，低功耗，適用于音頻放大、儀表和控制系統。
L78L05ABUTR：三端線性穩壓器，適用于各種電源應用。
LM393DT：雙比較器，低功耗，適用于音頻放大、儀表和控制系統。
STM32G030F6P6TR：低功耗32位ARM Cortex-M0+微控制器，具有豐富的外設接口，適用于智能家居、物聯網和醫療設備應用。
以上只是ST意法半導體2023年熱銷型號的一部分，這些產品在各自的領域中表現出色，并為提高能效和性能做出了貢獻。
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超導量子芯片模擬多種陳絕緣體研究取得進展！
量子霍爾效應是凝聚態物理學中的基本現象。科學家發展了拓撲能帶理論來研究此類拓撲物態，發現了量子霍爾系統的能帶結構和系統的邊界態密切相關即存在體相與邊緣的對應，并利用陳數（Chern number）來區分不同的拓撲結構，以陳絕緣體來描述相關拓撲物態。陳絕緣體材料可通過第一性原理計算預測以及實驗合成并檢測，過去幾年出現了系列創新性成果，有望發展出具有實用價值的器件。隨著量子系統調控技術的發展，研究利用各種人工可控量子系統來模擬陳絕緣體并揭示其性質。超導量子計算系統具有運行穩定、通用性強的優勢，將是模擬陳絕緣體的理想平臺。近日，中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心，與北京量子信息科學研究院、南開大學、華南理工大學、日本理化學研究所等合作，利用集成有30個量子比特的梯子型量子芯片，實現了具有不同陳數的多種陳絕緣體的模擬，并展示了理論預測的體邊對應關系。該團隊制備了高質量的具有30比特的量子芯片，在實驗中精確控制其量子比特之間的耦合強度，并降低比特間串擾，實現了一維和梯子型比特間耦合的構型。 該團隊設計模擬方案，將二維陳絕緣體格點模型的一個維度利用傅里葉變換映射為人工控制相位，從而用一維鏈狀量子比特來實現其模擬。 基于同樣的思想，雙層二維陳絕緣體則可以利用兩個一維鏈狀平行耦合，形成梯子型比特間耦合的量子芯片實現，而人工維度相位控制還可實現雙層陳絕緣體不同的耦合方式。這樣便實現了不同陳數的陳絕緣體。該工作通過激發特定量子比特、測量不同本征態能量的方案，直接測量拓撲能帶結構并觀測系統拓撲邊界態的邊界局域的動力學特征，在超導量子模擬平臺證實了拓撲能帶理論中的體邊對應關系（Bulk-edge correspondence）。此外，利用全部30個量子比特，在超導量子模擬平臺上通過模擬雙層結構陳絕緣體，實驗上首次觀察到具有零霍爾電導（零陳數）的特殊拓撲非平庸邊緣態。此外，實驗上探測到具有更高陳數的陳絕緣體。該研究通過精確控制超導量子比特系統及讀出的技術方案，實現對量子多體系統拓撲物態性質的復現與觀測，并表明30比特梯子型耦合超導量子芯片的精確可控性。相關研究成果以Simulating Chern insulators on a superconducting quantum processor為題，發表在《自然-通訊》【Nature Communications 14,5433 (2023)】上。研究工作得到國家自然科學基金委員會、科學技術部、北京市自然科學基金和中國科學院戰略性先導科技專項等的支持。
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