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MICRONE/微盟ME8100系列高性能的離線式電源控制器詳細(xì)介紹、特點(diǎn)、應(yīng)用和封裝
MICRONE/微盟生產(chǎn)的ME8100系列是一個(gè)高性能的綠色能源離線電源控制器。它具有一個(gè)可伸縮的用于驅(qū)動(dòng)外部NPN或MOSFET驅(qū)動(dòng)器線電壓切換晶體管。這種專有的架構(gòu)把許多先進(jìn)的功能，集成到小型封裝（TO-92），從而得到最低的成本解決方案。ME8100設(shè)計(jì)有6個(gè)內(nèi)部的終端，是一個(gè)脈沖頻率和脈沖寬度調(diào)。IC采用靈巧的包裝方式。將內(nèi)部終端包裝在以節(jié)省空間的TO-92封裝內(nèi)，65kHz開關(guān)頻率可提供在400或800mA電流限制。在待機(jī)狀態(tài)下，IC的功能僅消耗0.15W。ME8100是非常適用于高性能通用適配器和充電器。
ME8100特點(diǎn)
●最低的總成本解決方案
●0.15W待機(jī)功耗
●發(fā)射極驅(qū)動(dòng)器允許安全NPN反激式使用
●打嗝模式短路
●電流模式操作
●過電流保護(hù)
●欠電壓保護(hù)，自動(dòng)重啟
●專有可擴(kuò)展輸出驅(qū)動(dòng)
●靈活的包裝選項(xiàng)（包括TO-92）
●65kHz的開關(guān)頻率
●可選擇0.4A至0.8A電流限制
ME8100典型用途
電池充電器
電源適配器
備用電源
家電
通用離線電源
封裝形式
3-pin TO92
典型應(yīng)用電路
推薦產(chǎn)品+
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中國手機(jī)廠商首發(fā)！SK海力士16GB LPDDR5T內(nèi)存發(fā)貨
消費(fèi)電子終于回暖了？SK海力士表示，其最新款16G LPDDR5T芯片組合將裝備于并支持Vivo的最新款智能手機(jī)X100和X100 Pro。SK海力士表示，LPDDR5T產(chǎn)品是當(dāng)前處理智能手機(jī)或平板電腦數(shù)據(jù)最快的存儲(chǔ)芯片，可實(shí)現(xiàn)每秒9.6Gpbs（每秒9.6千兆）的傳輸速度。LPDDR5T的16 GB容量套裝產(chǎn)品可在國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織（JEDEC）規(guī)定的最低電壓1.01至1. 12V（伏特）標(biāo)準(zhǔn)范圍下運(yùn)行。該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度為每秒77GB，相當(dāng)于每秒可傳輸15部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）電影。vivo X100系列將會(huì)首發(fā)LPDDR5T內(nèi)存，已在天璣9300平臺(tái)完成性能驗(yàn)證。這意味著vivo X100系列將擁有聯(lián)發(fā)科天璣9300處理器＋LPDDR5T新內(nèi)存＋UFS 4.0閃存的配置。值得注意的是，LPDDR5T內(nèi)存的應(yīng)用范圍不僅限于智能手機(jī)，還能擴(kuò)展到人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、以及增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）。SK海力士10月表示，得益于面向AI應(yīng)用和高端手機(jī)的高帶寬內(nèi)存3和雙倍數(shù)據(jù)速率5芯片等高端產(chǎn)品的熱銷，其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）業(yè)務(wù)在7-9月份結(jié)束了連續(xù)兩個(gè)季度的虧損。該公司表示，預(yù)計(jì)未來幾個(gè)季度DRAM業(yè)務(wù)將繼續(xù)改善。SK海力士表示：“隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，智能手機(jī)逐漸成為搭載端側(cè)AI技術(shù)的重要設(shè)備。市場對(duì)高性能、大容量的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品需求日益增長。憑借人工智能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，公司將繼續(xù)迎合市場需求，引領(lǐng)高端DRAM市場。”出于對(duì)未來的樂觀看法，SK海力士已擬定明年的資本支出額約為10兆韓元，較今年資本支出額增加43%～67%。新增的資本支出主要將用于建造HBM3、DDR5及LPDDR5等先進(jìn)DRAM芯片的設(shè)施。SK海力士預(yù)估AIGC將帶動(dòng)未來五年的HBM芯片銷售年均成長60%～80%。同時(shí)，SK 海力士的營業(yè)利潤也可望有好轉(zhuǎn)，今年?duì)I業(yè)赤字預(yù)測值為8.43 兆韓元，但明年的營業(yè)利潤預(yù)測值為8.44 兆韓元。SK海力士已開始將新型先進(jìn)制程移動(dòng)芯片發(fā)貨給vivo，這是全球存儲(chǔ)芯片需求復(fù)蘇的最新跡象。根據(jù)市場調(diào)查企業(yè)TrendForce透露，三星電子在今年第四季將NAND 的價(jià)格上調(diào)10 ~ 15%，預(yù)計(jì)明年上半年還會(huì)再成長10% 至20%。NAND 價(jià)格實(shí)際已進(jìn)入上升趨勢，市場調(diào)查企業(yè)DRAMeXchange 透露，10 月份用于記憶卡和USB設(shè)備的128GB NAND 價(jià)格上漲1.59%，為2021 年7 月以來首次反彈。智能手機(jī)和個(gè)人電腦的出貨量也有成長的跡象。根據(jù)KB 證券預(yù)測，明年智能手機(jī)和個(gè)人電腦的出貨量將分別達(dá)到12 億臺(tái)和2.6 億臺(tái)，年增5%。對(duì)于智能手機(jī)，預(yù)期是累積的替換需求和中國移動(dòng)市場需求的復(fù)蘇將推動(dòng)成長。至于個(gè)人電腦，預(yù)計(jì)由于2025 年停止支援“Windows 10”的影響，將出現(xiàn)企業(yè)個(gè)人電腦更換需求。報(bào)道指出，特別是，美國擴(kuò)大芯片出口限制導(dǎo)致中企增加庫存，這被視為一大利好，隨著他們擴(kuò)大訂單，這支持存儲(chǔ)價(jià)格上漲。隨著DRAM 價(jià)格的上漲，NAND 的價(jià)格也在上漲，三星電子和SK 海力士的財(cái)務(wù)狀況有望加速復(fù)原。到今年第三季為止，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的累積虧損達(dá)到了12.69 兆韓元，但預(yù)計(jì)三星電子的業(yè)績將大幅改善。分析師預(yù)估，今年三星全年?duì)I業(yè)利潤的共識(shí)為7.23 兆韓元，明年預(yù)計(jì)將飆升至33.9 兆韓元，增幅高達(dá)為368.7%。三星電子表示，對(duì)于個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備來說，換機(jī)周期的到來以及高密度趨勢的持續(xù)增長會(huì)提振需求。三星電子預(yù)計(jì)，第四季度存儲(chǔ)價(jià)格將環(huán)比上漲。預(yù)計(jì)2024年智能手機(jī)市場需求將反彈。在服務(wù)器方面，由于人工智能需求增加和客戶庫存水平正常化，預(yù)計(jì)需求將逐漸恢復(fù)。不過，需要持續(xù)觀察影響服務(wù)器需求的不確定因素，例如基于宏觀環(huán)境的IT投資變化、AI投資以及地緣沖突問題。存儲(chǔ)芯片回暖還體現(xiàn)在韓國的出口數(shù)據(jù)的變化。韓國關(guān)稅廳11月13日發(fā)布的初步統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，韓國11月前10天的出口額同比增長3.2%，為182.37億美元。截至9月，月度出口額已連續(xù)一年同比減少，上月由負(fù)轉(zhuǎn)正。11月前10天的開工日數(shù)為8.5天，同比持平，日均出口額同比增加3.2%。具體來看，半導(dǎo)體芯片出口增加1.3%，以每月上旬為準(zhǔn)，這是近14個(gè)月以來的首次正增長。另外，對(duì)華出口同比下滑0.1%，連續(xù)17個(gè)月保持減勢。同期，進(jìn)口額同比增加1.2%，為199.77億美元。貿(mào)易收支出現(xiàn)17.41億美元逆差，逆差規(guī)模較去年同期（53.91億美元）收窄。今年以來的累計(jì)逆差為198.52億美元。
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芯朋微電子：AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
AP9523方案亮點(diǎn)外圍精簡：僅需2顆輸入輸出電容和2顆輸出電壓調(diào)節(jié)電阻;布板簡單：內(nèi)部集成電感和BST電容，無需考慮開關(guān)節(jié)點(diǎn)布線問題;高功率密度：最高轉(zhuǎn)換效率93%，SiP2.8mm×3mm×1.97mm封裝實(shí)現(xiàn)12.5W輸出功率;快速瞬態(tài)響應(yīng)：采用Neo-COT架構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng);全面智能保護(hù)：輸入欠壓鎖定、逐周期限流、輸出短路保護(hù)、過溫保護(hù)等。DEMO實(shí)物圖測試數(shù)據(jù)1效率測試測試條件：VIN=5/9/12/18V,VOUT=3.3/5V, IOUT=0~2.5A2溫升測試測試條件：VIN=12V, VOUT=5V,IOUT=2.5A,環(huán)境溫度25℃，Demo半開放、無風(fēng)環(huán)境測試結(jié)果：模塊表面最高溫度記錄為殼溫3 線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率測試條件：VIN=5/9/12/18V, VOUT=5V,IOUT=0~2.5A4動(dòng)態(tài)響應(yīng)和紋波測試條件：VIN=12V, VOUT=3.3/5V,IOUT=0.625A~1.875A測試結(jié)果：動(dòng)態(tài)響應(yīng)VPP =54.4mV, 82.4mVVOUT=3.3VVOUT=5V測試條件：VIN=12V, VOUT=3.3/5V,IOUT=2.5A測試結(jié)果：紋波VPP =9.6mV, 11.2mVVOUT=3.3VVOUT=5V5帶載啟動(dòng)和關(guān)斷測試條件：VIN=12V, VOUT=5V, IOUT=2.5A6短路保護(hù)和恢復(fù)測試條件：VIN=12V, VOUT=5V7可靠性測試應(yīng)用要點(diǎn)① 輸入電容靠近VIN和GND引腳放置。② 為了增強(qiáng)芯片抗干擾性，提高環(huán)路穩(wěn)定性，F(xiàn)B下偏電阻R1建議≤2kΩ。③EN引腳為高有效，耐高壓19V，可以直接接到VIN，不允許懸空。
哦! 它是空的。