5月21日美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。

在美光被限制在大陸銷售之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球存儲(chǔ)芯片不斷降價(jià)的前提下，漲價(jià)了。是因?yàn)閲?guó)外廠商在大陸銷售受限，存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)賣方市場(chǎng)，還是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心技術(shù)Xtacking又有新突破?

中國(guó)出手：停止采購(gòu)美光

5月21日晚消息，美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。

按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。

此次對(duì)美光公司產(chǎn)品進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)安全審查，目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全問題危害國(guó)家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全，是維護(hù)國(guó)家安全的必要措施。中國(guó)堅(jiān)定推進(jìn)高水平對(duì)外開放，只要遵守中國(guó)法律法規(guī)要求，歡迎各國(guó)企業(yè)、各類平臺(tái)產(chǎn)品服務(wù)進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。

3月31日，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室曾發(fā)布公告稱，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》《中華人民共和國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對(duì)美光公司(Micron)在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。

公開資料顯示，美光科技公司是一家全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，是美國(guó)最大的電腦存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商，也是全球僅余的三大存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)巨頭之一。主要業(yè)務(wù)是生產(chǎn)多種形式的半導(dǎo)體器件，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、閃存和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器;主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊。

截至美股5月19日收盤，美光科技(MU)股價(jià)68.17美元，漲0.89%，總市值746億美元(約5227.9億元人民幣)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布漲價(jià)

在3月31日，美光被網(wǎng)信辦調(diào)查之后，白宮竟然不允許三星和海力士等國(guó)外廠商來填補(bǔ)中國(guó)市場(chǎng)空缺，客觀情況下，這給長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)造良好的外部環(huán)境。

在美光被限制在大陸銷售之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球存儲(chǔ)芯片不斷降價(jià)的前提下，漲價(jià)了!5月16日消息，據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)原廠閃存正式開始漲價(jià)，幅度大約3-5%，比如256G已經(jīng)漲價(jià)4-5美元(約合人民幣28-35元)。

據(jù)悉，漲價(jià)最先影響的是企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，消費(fèi)級(jí)的現(xiàn)貨市場(chǎng)可能還需要一段時(shí)間才會(huì)看到明顯上漲。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPro7000 1/2TB分別只要579/1019元，TiPlus7100 1/2TB更是僅為509/959元。

2021年到2022年，以三星為代表的存儲(chǔ)公司出現(xiàn)庫(kù)存激增，單價(jià)下滑的情況。原因之一是半導(dǎo)體行業(yè)處于下行趨勢(shì);其二是SSD市場(chǎng)飛速發(fā)展，成本已經(jīng)大幅降低，再加上這一年來市場(chǎng)需求嚴(yán)重下滑，全球各大 NAND 廠商庫(kù)存持續(xù)處于高位，因此為爭(zhēng)奪出貨量不得不開啟降價(jià)模式，目前 SSD 可以說是來到了“白菜價(jià)”水平。不單單是大牌，目前很多小眾品牌的固態(tài)硬盤已經(jīng)殺到了接近機(jī)械硬盤的價(jià)位，例如部分采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)泰山顆粒+ 聯(lián)蕓 1602 主控的固態(tài)硬盤目前已經(jīng)來到了每 TB 200 元出頭的程度。

而隨著三星、美光、SK 海力士等品牌 NAND 顆粒已經(jīng)開始逐步小幅拉升，大部分產(chǎn)品已經(jīng)很長(zhǎng)時(shí)間沒有再繼續(xù)降價(jià)。從中國(guó)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)來看，NAND 指數(shù)已經(jīng)有近兩個(gè)月的時(shí)間穩(wěn)定在一個(gè)區(qū)間，降價(jià)趨勢(shì)已經(jīng)大幅低于去年年底。在這種情況下，國(guó)產(chǎn)龍頭企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)自然也不愿意看到市場(chǎng)在繼續(xù)下跌。

最新消息表明，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的顆粒報(bào)價(jià)已經(jīng)從上周開始抬升。長(zhǎng)江存儲(chǔ)漲價(jià)的原因：一是市場(chǎng)回暖;其二是，Xtacking 技術(shù)越來越成熟，引領(lǐng)行業(yè)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3.0 最具顛覆性的技術(shù)之一

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的核心技術(shù)叫做Xtacking，根據(jù)公開信息Xtacking代替已經(jīng)進(jìn)化到了3.0版本，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新發(fā)布的Tiplus71000產(chǎn)品，使用的是x3-9070.也就是傳說中的232層3DNAND顆粒，雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布Xtacking3.0的時(shí)間點(diǎn)晚于美國(guó)，但相關(guān)產(chǎn)品卻先于美國(guó)上市，那么可以得出這樣一個(gè)結(jié)論，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是世界上第一個(gè)量產(chǎn)232層3DNAN公司。

作為中國(guó)領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器集成器件制造商(IDM)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展迅速。在2018年的閃存峰會(huì)(FMS)上首次推出了Xtacking 1.0架構(gòu)，隨后于2019年推出了Xstacking 2.0.

正如許多科技公司一樣，2022年對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)來說是坐了一年過山車。首先是蘋果計(jì)劃將長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128L芯片納入其產(chǎn)品的消息，然后是美國(guó)政府對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施限制后的迅速轉(zhuǎn)變。與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱Xtacking 3.0現(xiàn)已上市，這引發(fā)了人們對(duì)該公司是否仍能在沒有蘋果繼續(xù)支持的情況下大規(guī)模生產(chǎn)該設(shè)備的質(zhì)疑。

TechInsights將Xtacking 3.0視為2022年最具顛覆性的技術(shù)之一。首先，創(chuàng)新架構(gòu)在新興的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè)中并沒有真正競(jìng)爭(zhēng)者;其次，最近對(duì)YMTC實(shí)施的限制使這項(xiàng)技術(shù)成為地緣政治的焦點(diǎn)。

最先進(jìn)的

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的固態(tài)顆粒性能非常優(yōu)異，不管是速度穩(wěn)定性還是持久力都屬于頂尖水平，尤其是持久力深受廣大“挖礦”人士的喜愛。

但是如此優(yōu)異性能背后技術(shù)并不是大家想象中難那么的先進(jìn)，Xtacking其實(shí)是一種落后的技術(shù)，Xtacking的本質(zhì)其實(shí)是一種非常典型的晶元電荷式系統(tǒng)及封裝技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)把3DNAN的存儲(chǔ)單元和CMOS邏輯電路分別在兩塊晶元上加工和制造，最終通過晶元鍵和技術(shù)加兩塊晶圓粘在一起。

事實(shí)上三星、美光、海力士一定在實(shí)驗(yàn)室嘗試過Xtacking技術(shù)，因?yàn)閄tacking需要兩塊晶圓疊加介質(zhì)對(duì)準(zhǔn)等因素的影響，導(dǎo)致產(chǎn)品高企。眾所周知商業(yè)環(huán)境里評(píng)判一個(gè)技術(shù)的好壞，最關(guān)鍵的條件不是這個(gè)技術(shù)是否先進(jìn)，而是這項(xiàng)技術(shù)是否能在低成本低損耗的情況下保證產(chǎn)品性能并進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)，很顯然在三星、海力士、美光的驗(yàn)證下Xtacking并不是這樣的技術(shù)。但是為什么長(zhǎng)江存儲(chǔ)要走這條路?因?yàn)槠渌繁蝗恰⒑Ａκ?、美光、東芝、英特爾堵死了。這5家公司在存儲(chǔ)行業(yè)耕耘了30年之久，經(jīng)驗(yàn)累積十分豐富技術(shù)先進(jìn)。

東芝還是第一塊DNAN的發(fā)明者長(zhǎng)存，如果復(fù)制國(guó)際先進(jìn)存儲(chǔ)廠商成功產(chǎn)品的路子，技術(shù)壁壘無法打破不說，還有極大可能面對(duì)專利起訴得不償失。所以長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇直接上Xtacking這種看似無法大規(guī)模量產(chǎn)的技術(shù)。

令人矚目的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)把一個(gè)看似無法大規(guī)模量產(chǎn)的技術(shù)硬做到量產(chǎn)，而且Xtacking迭代速度極快，快到讓所有人咋舌。

2022年11月長(zhǎng)存宣布232層Xtacking3.0技術(shù)研發(fā)成功，并立刻推出全新產(chǎn)品，Tiplus71000.4年更新三代技術(shù)，并且在第三代技術(shù)發(fā)布的時(shí)候，完成了對(duì)國(guó)外最先進(jìn)公司的反超速度著實(shí)有點(diǎn)太離譜了，就連三星電子CEO金奇楠也公開表示，三星本來在2025年左右采用類似Xtacking3.0的技術(shù)，沒想到長(zhǎng)江存儲(chǔ)竟然率先量產(chǎn)了。

被美國(guó)技術(shù)制裁

一般來講，當(dāng)我國(guó)的科技公司對(duì)外國(guó)公司實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超的時(shí)候，一定會(huì)面臨一個(gè)問題，華為是這樣大疆是這樣，現(xiàn)在輪到長(zhǎng)江存儲(chǔ)了，那就是美國(guó)制裁。

2022年10月7日，美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商接到美國(guó)商務(wù)部通知，禁止在對(duì)大陸晶元廠提供服務(wù)。

2022年12月15日，美國(guó)商務(wù)部將包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)在內(nèi)的30多家中國(guó)實(shí)體加入實(shí)體清單。

僅從目前的信息來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)貌似沒太受到美國(guó)制裁的影響，存儲(chǔ)顆粒一個(gè)勁往外供貨，致態(tài)也是持續(xù)刷新底價(jià)，一派欣欣向榮景象，但是最近看到了一些長(zhǎng)存固態(tài)吊盤的情況出現(xiàn)，或和制裁有關(guān)。

Xtacking

美國(guó)制裁長(zhǎng)江存儲(chǔ)，那長(zhǎng)存的技術(shù)卡點(diǎn)在哪里?Xtacking本身是不存在任何被制裁或者被打?qū)＠麘?zhàn)的可能的，因?yàn)檫@項(xiàng)技術(shù)是百分之百自主研發(fā)，但是把Xtacking做成產(chǎn)品的過程中，卻存在一些躲不開的難題。

第一個(gè)難點(diǎn)是晶元鍵合技術(shù)的專利問題，晶元鍵合是Xtacking的核心技術(shù)之一，或者說正是因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)解決了晶元鍵合的難題，才使得Xtacking變成了先進(jìn)技術(shù)。

從專利數(shù)量上來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自成立以來就一直在申請(qǐng)晶元鍵合方面的專利，到目前為止總共申請(qǐng)了大概850個(gè)晶元鍵合技術(shù)方面的專利，不過長(zhǎng)存的晶元鍵合技術(shù)也不完全是自研。2021年10月長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美國(guó)專利公司Xperi達(dá)成專利授權(quán)協(xié)議，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過該協(xié)議獲得了Xperi的DBI混合鍵合技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

從專利情況來看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在混合晶元件和方面的技術(shù)積累不算太多，絕大部分帶有混合晶元件和字眼的專利都屬于該項(xiàng)技術(shù)的終端應(yīng)用，比如類似于三維存儲(chǔ)器的制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)這樣的技術(shù)應(yīng)用型發(fā)明專利。

所以Xperi的專利授權(quán)協(xié)議一直是一塊心病，畢竟白宮的制裁優(yōu)先級(jí)最高Xperi授權(quán)的連續(xù)性也許會(huì)出現(xiàn)問題。

第二個(gè)難點(diǎn)那就是老生常談的芯片制造問題了，也就是設(shè)備和材料。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在制造設(shè)備方面的卡點(diǎn)并不是光刻機(jī)，而是刻蝕機(jī)。Xtacking技術(shù)是把存儲(chǔ)單元和外圍CMOS電路放在兩塊晶圓上加工，存儲(chǔ)單元不需要特別高的制程做支撐，CMOS電路可能需要二十幾納米的制程，生產(chǎn)二十幾納米芯片的光刻機(jī)是可以買到的。

但生產(chǎn)存儲(chǔ)單元有個(gè)難題叫做高深寬比刻蝕，簡(jiǎn)單來講就是三維存儲(chǔ)器層數(shù)越高，需要的刻蝕深寬比就越大，Xtacking快速迭代的能力一方面來自其技術(shù)本身的特點(diǎn)，另一方面其實(shí)是需要先進(jìn)刻蝕機(jī)來做配合?，F(xiàn)階段泛林最先進(jìn)的刻蝕機(jī)臺(tái)能做到80~100:1的深寬比。不過目前來看，泛林已經(jīng)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)斷供了，所以只剩下中微半導(dǎo)體這一個(gè)選擇

國(guó)產(chǎn)替代任重道遠(yuǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一條3DNAND產(chǎn)線上需要大概40種刻蝕機(jī)臺(tái)，從之前的招標(biāo)情況來看，中微公司大概只能提供10種機(jī)臺(tái)，在ICP刻蝕機(jī)臺(tái)方面完全是零中標(biāo)，并且缺少了先進(jìn)機(jī)臺(tái)的支持。當(dāng)下缺少先進(jìn)刻蝕機(jī)臺(tái)，長(zhǎng)存技術(shù)迭代的速度可能也會(huì)慢下來，過去兩年一代的更新頻率大概率不會(huì)再出現(xiàn)。如今外國(guó)先進(jìn)存儲(chǔ)廠商在大陸銷售受限，長(zhǎng)江存儲(chǔ)能吃下這塊市場(chǎng)還是要依靠本土先進(jìn)的設(shè)備生產(chǎn)廠商的努力。北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美、拓荊科技、精測(cè)電子、上海微電子、中科飛測(cè)、華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技一定要把握住千載難逢的機(jī)會(huì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前是中國(guó)除了華為之外最重要的芯片公司之一，互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代增長(zhǎng)最快的不是流量而是數(shù)據(jù)，尤其在ChatGPT問世以后，算力芯片存儲(chǔ)芯片的需求都是成倍地增長(zhǎng)，如果沒有長(zhǎng)江存儲(chǔ)的崛起，我國(guó)仍舊需要花費(fèi)大量的外匯來購(gòu)買三星、海力士、美光、東芝等外國(guó)公司的產(chǎn)品，價(jià)格昂貴暫且不提，外國(guó)廠商有沒有在其中加入后門，我們也猶未可知。