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在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術(shù),力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式,因?yàn)槠涮匦圆煌荒鼙环謩e用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn),但缺點(diǎn)在于需要高壓開關(guān)電路,以及相對較慢的編程/擦除。DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲(chǔ),需要持續(xù)的電源供應(yīng),加上破壞性讀出以及容量擴(kuò)展上始終存在困難。可以看出,無論是閃存和DRAM,都逃不開能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個(gè)共生的局面。而ULTRARAM作為一個(gè)通用內(nèi)存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導(dǎo)體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導(dǎo)體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。ULTRARAM是一種基于電荷的存儲(chǔ)器,像NAND一樣使用浮柵結(jié)構(gòu),所以也能像其他閃存一樣,實(shí)現(xiàn)非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實(shí)現(xiàn)超長時(shí)間的存儲(chǔ),這得益于其TBRT結(jié)構(gòu)。哪怕是在單bit級別也能存儲(chǔ)遠(yuǎn)大于十年的時(shí)間,ULTRARAM中的電荷可以存儲(chǔ)1000年而不會(huì)出現(xiàn)泄露。且ULTRARAM開關(guān)能耗極低,開關(guān)速度更是低于ns級。離量產(chǎn)還有多久?然而任何新的存儲(chǔ)形態(tài)在試圖挑戰(zhàn)閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產(chǎn)的問題,因?yàn)檫@才是決定其能否商業(yè)化的關(guān)鍵之一。常見的阻礙有,在現(xiàn)有的固態(tài)制造設(shè)備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經(jīng)對于大部分晶圓廠來說,是否需要額外的工序。據(jù)了解Quinas Technology已經(jīng)宣布添置和購買了相關(guān)設(shè)備,用于生產(chǎn)出20nm的ULTRARAM原型產(chǎn)品,并將繼續(xù)積極推動(dòng)該技術(shù)的商業(yè)化。在確定其性能達(dá)到宣傳指標(biāo),比如1000萬次重寫循環(huán)后,他們會(huì)嘗試開始小規(guī)模市場并尋找感興趣的客戶。與此同時(shí),英國創(chuàng)新機(jī)構(gòu)也獎(jiǎng)勵(lì)了Quinas Technology 30萬英鎊,用于推動(dòng)這一技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。不過離真正的量產(chǎn)應(yīng)該還有一定的差距,其發(fā)明者及Quinas Technology CSO表示,這對于一家初創(chuàng)公司來說自然是不小的投資,但量產(chǎn)ULTRARAM的過程并非短跑,而是一場馬拉松。Quinas Technology雖然購買了相關(guān)設(shè)備,但其僅用于原型的制造和驗(yàn)證,真正量產(chǎn)還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內(nèi)存制造工廠,據(jù)了解他們很可能選擇與臺積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業(yè)合作。在最終產(chǎn)品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場,比如服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心級別的產(chǎn)品,畢竟消費(fèi)級存儲(chǔ)市場仍處于一個(gè)去庫存的階段,而高性能內(nèi)存恰恰是利潤最高的。同時(shí)Quinas Technology透露,對UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對于ULTRARAM的節(jié)能特性尤其看好。寫在最后和所有新的存儲(chǔ)技術(shù)一樣,大規(guī)模量產(chǎn)并控制成本才是最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。而對于ULTRARAM來說,該技術(shù)尚未到量產(chǎn)驗(yàn)證階段,還在性能與指標(biāo)的驗(yàn)證階段,如果原型產(chǎn)品和之后的小批量產(chǎn)品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術(shù)會(huì)獲得更多公司的青睞和投資。
ULTRARAM與閃存和DRAM的區(qū)別
離量產(chǎn)還有多久?
寫在最后
THS9001是一款中等功率、可級聯(lián)的增益塊,針對高中頻頻率進(jìn)行了優(yōu)化。該放大器集成了與50Ω匹配的內(nèi)部阻抗,并在VS=5 V、R(BIAS)=237Ω、L(COL)=470 nH的情況下,實(shí)現(xiàn)了大于15 dB的輸入和從50 MHz到350 MHz的輸出回波損耗。設(shè)計(jì)只需要2個(gè)直流阻塞電容器、1個(gè)電源旁路電容器、一個(gè)射頻扼流圈和一個(gè)偏置電阻器。特性高動(dòng)態(tài)范圍OIP3=36 dBmNF<4.5 dB單電源電壓高速VS=3 V至5 VIS=可調(diào)輸入/輸出阻抗50Ω應(yīng)用中頻放大器TDMA:GSM,IS-136,EDGE/UWE-136CDMA:IS-95、UMTS、CDMA2000無線本地環(huán)路無線局域網(wǎng):IEEE802.11功能框圖THS9001DBVT引腳和功能簡化示意圖雙轉(zhuǎn)換接收機(jī)架構(gòu)示例EVM底部布局EVM頂部布局
尼吉康株式會(huì)社向市場投放了在車載領(lǐng)域以及通信領(lǐng)域等要求很高的,高溫下實(shí)現(xiàn)了紋波電流疊加保證的“PCW系列”導(dǎo)電性高分子鋁固體電解電容器。導(dǎo)電性高分子鋁固體電解電容器的紋波電流疊加保證品屬于業(yè)界首創(chuàng)。概況/開發(fā)背景在電氣化的車載電路中,許多低電壓電路被安裝在 PMIC 或 CPU/GPU 上。在這種背景下,對高溫度和高可靠性的要求越來越高。為了滿足這些需求,實(shí)施了包括使用耐熱橡膠提高密封性的各種構(gòu)件優(yōu)化,從而向市場投放了行業(yè)首創(chuàng)的保證了高溫 125℃ 2,000 小時(shí)的紋波電流疊加保證的“PCW系列”芯片形導(dǎo)電性高分子鋁固體電解電容器。特長鋁固體電解電容器采用了導(dǎo)電性高分子電解質(zhì),不僅擁有導(dǎo)電性高分子特長的高頻領(lǐng)域的卓效 ESR 特性,而且還具備了出色的紋波電流耐性。為了在高溫下也能保持穩(wěn)定的特性,“PCW系列”采用了高耐熱性的密封橡膠,為了降低產(chǎn)品自我發(fā)熱,通過優(yōu)化引線等構(gòu)件實(shí)現(xiàn)了低 ESR。而且,導(dǎo)電性類型中保證了行業(yè)首創(chuàng)的紋波電流疊加,還實(shí)現(xiàn)了高紋波電流化,有助于實(shí)現(xiàn)低壓帶中需要高紋波電流的電路。與現(xiàn)有品的對比例子主要規(guī)格
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